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IGBT模块简介

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双型晶体管复合而成的一种器件，其输入为MOSFET，输出为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

可知，若在IGBT的栅G和发射E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电C与基之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅和发射之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅G—发射E间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

IGBT模块的选择

IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电电流时，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗使原件发热加剧，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时，由于开关损耗发热加剧，选用时应该降温等使用。

使用中的注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅通过一层氧化膜与发射实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：

1. 在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当要触摸模块端子时，要先 将或上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；

2. 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；

3. 尽量在底板良好接地的情况下操作。

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