Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C

产品描述

上海伯东日本原装进口适合中等规模量产使用的 Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C. 无论使用什么材料都可以用来加工.

蚀刻均匀性: ±5%, 硅片 Si 刻蚀速率 ≥ 20 nm/min, 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0~±90度旋转, 因此射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等加工形状.

• Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品优势：

  
  

  Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 主要优点:

  1. 干式制程的微细加工装置, 使得在薄膜磁头, 半导体元件, MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用.

  2. 物理蚀刻的特性, 无论使用什么材料都可以用来加工, 所以各种领域都可以被广泛应用.

  3. 配置使用美国 KRI 考夫曼离子源

  4. 射频角度可以任意调整, 蚀刻可以根据需要做垂直, 斜面等等加工形状.

  5. 基板直接加装在直接冷却装置上, 所以可以在低温环境下蚀刻.

  6. 配置公转自转传输机构, 使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面.

  7. 机台设计使用自动化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生产过程.

• Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数：

  Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 技术参数:

  φ4 inch X 6片	基板尺寸	< Ф3 inch X 8片 < Ф4 inch X 6片 < Ф8 inch X 1片	可选
  	样品台	样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0~±90度旋转
  	离子源	20cm 考夫曼离子源
  	均匀性	±5% for 8”Ф
  	硅片 Si 刻蚀率	≥20 nm/min
  	温度	<100

   

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 组成：

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 组成:

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 蚀刻速率：

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-C 通氩气 Ar 不同材料的蚀刻速率:

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